Toshiba e SanDisk revelam chip de memória flash BiCS NAND de 256Gb e 48 camadas |

A Toshiba Corp. e a SanDisk Corp. apresentaram formalmente seu primeiro IC de memória flash NAND de três níveis empilhados verticalmente (TLC) [circuito integrado] com capacidade de 256 Gb. A nova memória flash NAND 3D BiCS [bit cost scalable] será produzida em massa no próximo ano.

O novo dispositivo flash BiCS de 48 camadas de 256 Gb (32 GB) da Toshiba possui arquitetura TLC (célula de nível triplo) de 3 bits por célula e pode ser usado para uma ampla gama de aplicativos, incluindo SSDs de consumo, smartphones, tablets, cartões de memória, e até SSDs empresariais para data centers. No início deste ano, a Toshiba apresentou o dispositivo flash NAND BiCS de 48 camadas de 128 Gb com arquitetura MLC de 2 bits por célula.



O flash NAND tridimensional apresenta maior desempenho, maior resistência e menores custos por bit (uma vez que os rendimentos atingem níveis comercialmente viáveis) em comparação com a memória flash NAND planar tradicional usada hoje. Inúmeras peculiaridades da arquitetura BiCS 3D NAND da Toshiba/SanDisk, como a string NAND em forma de U, permitem a máxima eficiência do array e minimizam os tamanhos reais dos chips em comparação com as arquiteturas 3D NAND concorrentes.

Desde o primeiro dia, a estratégia da Toshiba tem sido estender nossa tecnologia de portão flutuante, que apresenta o menor die*3 de 15 nm e 128 Gb do mundo, observou Scott Nelson, vice-presidente sênior da Unidade de Negócios de Memória da TAEC. Nosso anúncio do BiCS FLASH, a primeira tecnologia 3D de 48 camadas do setor, é muito significativo, pois estamos permitindo uma migração competitiva e suave para a memória flash 3D – para atender à demanda do mercado de armazenamento por densidades cada vez maiores.

A Toshiba produzirá em massa a memória flash 3D BiCS em uma fábrica totalmente nova nas operações de Yokkaichi. A construção do edifício foi concluída recentemente e as duas empresas devem começar a movimentar os equipamentos nas próximas semanas.

A Samsung levou cerca de um ano para introduzir a memória TLC 3D V-NAND depois de iniciar a produção em massa da memória MLC 3D V-NAND. A Toshiba apresentou formalmente sua memória TLC BiCS 3D NAND apenas alguns meses depois de anunciar seus chips MLC BiCS 3D NAND. Embora a Toshiba pareça bastante agressiva quando se trata de desenvolvimento de novos chips de memória, deve-se notar que a empresa não iniciará a produção em massa do flash BiCS 3D antes do que em 2016.