Teste do Samsung SSD 980 PRO 1TB |

Avaliação: 9,0 .

1. Introdução2. Samsung SSD980 PRO 1TB3. Metodologia de Teste4. CrystalDiskMark5. ATTO Disk Benchmark6. AS SSD7. IÔMETRO8. Desempenho sequencial de 128 KB9. Leitura Aleatória 4K v Desempenho QD10. Gravação Aleatória 4K v Desempenho QD11. Desempenho misto 4K 70/3012. Rendimento13. Estabilidade de Desempenho14. Benchmark de unidade de sistema completo PCMark 1015. Teste de arquivo da vida real16. Considerações finais17. Ver todas as páginas

O SSD980 PRO é a mais recente unidade NVMe de alto desempenho da Samsung e é a primeira entrada da gigante de tecnologia sul-coreana no mercado de SSDs PCIe Gen4. Ele usa uma combinação de um novo controlador interno e 1 ** camada 3D V-NAND (são mais de 100 camadas, mas a Samsung não confirmará o número exato).




A nova unidade usa o controlador Elpis recém-desenvolvido da Samsung, cujos detalhes são extremamente finos no momento, mas sabemos que é construído em um processo de 8 nm e pode processar simultaneamente 128 filas de E/S, cerca de 4 vezes a quantidade o controlador Phoenix da geração anterior suportado. Para acompanhar o novo controlador, as unidades usam o TLC V-NAND de camada 1xx de 6ª geração mais recente da Samsung.

No lançamento, existem três capacidades; 250 GB, 500 GB e o modelo de 1 TB (a unidade que estamos vendo aqui). No final de 2020, deve haver uma unidade principal de 2 TB chegando.

As classificações oficiais de desempenho do SSD980 PRO são bastante impressionantes, para dizer o mínimo. Os números sequenciais de leitura/gravação para o intervalo são; até 6.400 MB/s e 2.700 MB/s respectivamente para a unidade de 250 GB, até 6.900 MB/s de leitura e 5.000 MB/s de gravação para a unidade de 500 GB e até 7.000 MB/s de leitura e 5.000 MB/s de gravação para a unidade unidade de 1TB.

O desempenho aleatório de 4K está listado na folha de especificações em duas profundidades de fila e encadeamentos diferentes. Em um QD de 1 com 1 thread, todas as três unidades são classificadas em até 22.000 IOPs para leituras e até 60.000 IOPS para gravações. Em um QD de 32 e usando 16 threads, a unidade de 250 GB é classificada como até 500.000 IOPS para leituras e 600.000 IOPS para gravações, a unidade de 500 GB até 800.000 para leituras e impressionantes 1.000.000 IOPS para gravações, enquanto a unidade de 1 TB é classificada como superior a 1m IOPS para leitura e gravação.

Os valores de resistência de TBW citados para a faixa são 150 TB para a unidade de 250 GB, 300 TB para o de 500 GB e 600 TB para o modelo de 1 TB. A Samsung oferece uma garantia de 5 anos para a unidade.

Especificações físicas:
Capacidades utilizáveis: 1TB.
Componentes NAND: Samsung 1** camada 3 bits MLC V-NAND
Controlador NAND: Samsung Elpis.
Cache: 1GB LPDDR4.
Interface: PCIe Gen 4.0 x4, NVMe 1.3c.
Fator de forma: M.2 2280.
Dimensões: 80,15 x 22,15 x 2,38 mm.

Versão do firmware: 1B2QGXA7.