Samsung começa a produzir módulos DDR4 de 64GB baseados em chips TSV |

A Samsung Electronics disse na terça-feira que começou a produzir módulos de memória DDR4 de 64 GB que são alimentados por chips de memória DDR4 que apresentam tecnologia de pacote tridimensional (3D) através de silício via (TSV). Os módulos DRAM [dynamic random access memory] são projetados para servidores corporativos.

Os módulos de memória dual inline (RDIMMs) registrados de 64 GB da Samsung apresentam 36 chips de memória DDR4, cada um dos quais consiste em quatro dispositivos DRAM DDR4 de 4 Gb feitos com tecnologia de processo de classe de 20 nm. As matrizes DDR4 são perfuradas para conter centenas de orifícios e, em seguida, são conectadas verticalmente através de eletrodos que passam pelos orifícios. Os módulos de memória de 64 GB da Samsung operam a 2133 MHz.



A Samsung afirma que os novos módulos TSV DDR4 de 64 GB funcionam duas vezes mais rápido que um módulo de 64 GB que usa embalagem de ligação de fio, consumindo cerca de 50% da energia.

Como os controladores de memória DDR4 suportam uma quantidade limitada de RDIMMs por canal, os fabricantes de memória precisam criar módulos de memória de alta densidade para habilitar servidores com quantidades extremas de memória. Para aumentar rapidamente as densidades de chips e módulos de memória, os fabricantes de chips DRAM terão que usar a tecnologia TSV daqui para frente. No futuro, a Samsung acredita que poderá empilhar mais de quatro matrizes DDR4 usando sua tecnologia 3D TSV, para criar chips e módulos DRAM de densidade ainda maior.

A Samsung está reforçando sua vantagem competitiva no mercado de DRAM com sua nova solução de última geração usando sua tecnologia 3D TSV, enquanto impulsiona o crescimento no mercado global de DRAM, disse Jeeho Baek, vice-presidente de marketing de memória da Samsung Electronics. Ao introduzir módulos DDR4 de alta eficiência energética montados com 3D TSV, estamos dando um grande passo à frente do mercado DDR4 convencional, que deve se expandir drasticamente com a introdução esperada de CPUs de próxima geração no segundo semestre deste ano.

Os novos chips de memória DDR4 de 64 GB da Samsung estarão disponíveis dentro de servidores baseados na nova geração de processadores Intel Xeon E5 Haswell-EP que suportam memória DDR4 nos próximos meses.

No início deste ano, a SK Hynix demonstrou um módulo de memória DDR4 de 128 GB baseado em DRAMs de 8 Gb de 4 camadas conectadas usando TSV. Esses módulos devem surgir em 2015.

Parece que com a tecnologia DDR4 e TSV os módulos de memória de 64 GB se tornarão realidade para servidores convencionais. A questão é quanto vai custar e a tecnologia TSV em sua forma atual será viável para o mercado consumidor?