Samsung começa a produzir memória flash 3D V-NAND de 48 camadas |

A Samsung Electronics disse na terça-feira que começou a produzir em massa os primeiros chips de memória flash NAND verticais tridimensionais de célula tripla (TLC) do mundo com capacidade de 256 Gb. Os novos ICs de memória 3D V-NAND [circuitos integrados] ajudarão a Samsung a tornar as unidades de estado sólido e outros dispositivos baseados em flash mais acessíveis, o que ajudará a aumentar a participação de mercado da empresa.

Os novos chips de memória flash NAND TLC de 256 Gb da Samsung utilizam a mesma arquitetura 3D Charge Trap Flash (CTF) na qual as matrizes de células são empilhadas verticalmente para formar uma massa de 48 andares conectada eletricamente através de cerca de 1,8 bilhão de orifícios de canal perfurando as matrizes graças a uma tecnologia de gravação especial. No total, cada chip contém mais de 85,3 bilhões de células e pode armazenar 32 GB de dados.

De acordo com a Samsung, o novo chip de memória flash NAND TLC de 48 camadas e 256 Gb consome 30% menos energia do que o antecessor, que tem capacidade de 128 Gb. O novo chip também é 40% menor que seu antecessor, o que significa que custa menos para produzir.



Com a introdução de nossa memória flash V-NAND de 3ª geração no mercado global, agora podemos fornecer as melhores soluções de memória avançada, com eficiência ainda maior com base em desempenho aprimorado, utilização de energia e produtividade de fabricação, acelerando assim o crescimento da memória de alto desempenho e os mercados de SSD de alta densidade, disse Young-Hyun Jun, presidente do negócio de memória da Samsung Electronics. Ao fazer pleno uso dos excelentes recursos do Samsung V-NAND, expandiremos nossos negócios de nível premium nos segmentos de mercado corporativo e de data center, bem como no mercado consumidor, enquanto continuamos a fortalecer nosso foco estratégico em SSD.

A Samsung espera que sua memória 3D V-NAND de terceira geração permita a produção de unidades de estado sólido de 1 TB e 2 TB acessíveis para os consumidores. Além disso, a empresa acredita que essa memória ajudará a aumentar suas vendas de SSDs de alta densidade para os mercados de armazenamento corporativo e de data center com interfaces PCIe NVMe e SAS.

A Samsung está novamente à frente de seus rivais com sua memória flash 3D V-NAND de terceira geração. Resta saber até que ponto a empresa conseguirá aumentar significativamente sua participação no mercado de SSDs graças aos seus novos chips de memória. Atualmente, a empresa controla mais de 40% do mercado de SSDs, segundo analistas.